Q. 반도체의 밴드갭과 전도성 관련하여 질문드립니다.
안녕하세요. 박두현 전문가입니다.밴드갭크기에 따라서 영향을 미칠 수가 있습ㄴ디ㅏ 일단 좁은 밴드갭은 전자가 전도대로 이동하기 쉽습니다 낮은 에너지로 전류를흐르게 할 수 있어 일반적인 전자기기에 적합합니다 그리고 넓은 밴드갭은 전자가 전도대로 이동하기 어려우며 더 높은 에너지가 필요합니다 하지만 고온,고전압,고주파 환경에서도 안정적으로 작동하고 주료 전력 전자 ,레이저,LED등에 사용됩니다 밴드갭을 조절하는 방법으로는 도핑이 있습니다 반도체에 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킵니다 도핑 자체는 밴드갭의 크기를 크게 바꾸지는 않지만 전류를 흐르게 하는 캐리어 농도를 조절합니다 그리고 합금 반도체도 있는데 서로 다른 밴드갭을 가진 물질을 혼합하여 새로운 밴드갭을 생성합니다
Q. 전력전자에서의 효율성 문제 관련하여 질문드립니다.
안녕하세요. 박두현 전문가입니다.전력전자장치에서 효율성을 높이는 기술은 에너지 절약과 성능 향상에 큰 기여를 하지만 이러한 기술발전으로 인해문제가 발생할 수 있습니다 먼저 고효유 전력 장치는 고주파 스위칭을 사용하여 손실을 줄이는 경우가 많습니다 하지만 고주파 스위칭은 전자기 간섭을 유발하여 다른 전자 장치의 작동에 문제를 일으킬 수 있습니다 이를 해결하기 위해 필터,실드.그리고 적절한 회로 설계가 필요하고 비용과 복잡성이 증가할 수 있습니다 또 효율이 높아지더라도 전력전자장치는 여전히 일정량의 열을 발생시킵니다 고밀도 설계로 인해 열이 집중되면서 냉각 설계가 더 까다로워질 수 있습니다 적절한 방열판,액체냉각시스템, 혹은 새로운 냉각 소재가 필요하며 이는 설계 비용을 높입니다 그리고 기존 전력 시스템과의 호환성 문제가 발생할 수 있습니다 고효율 장치는 종종 더 정밀한 전력 요구 사항이 있으므로 기존 시스템에 통합할 때 예상치 못한 문제가 발생할 수도 있습니다