Q. 차세대 메모리 기술에서 데이터 저장 속도를 높이기 위하여...
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어 입니다.차세대 메모리 기술에서 데이터 저장 속도를 높이기 위한 회로 설계 방법에는 몇 가지 중요한 접근법이 있습니다. 첫째, 비휘발성 특성과 빠른 속도를 동시에 제공하기 위해 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이나 ReRAM(Resistive Random Access Memory) 같은 기술을 활용하는 겁니다. 이 메모리들은 트랜지스터 기반 회로를 최소화하여 속도를 증가시킵니다. 또한, 3D 적층 구조를 통해 집적도와 속도를 동시에 높이는 것이 가능합니다. 마지막으로, 인터커넥트에서의 지연을 줄이기 위해 저항 및 용량을 최소화한 신호 경로 디자인이 필수적입니다. 이러한 기술들은 전체적으로 메모리의 응답성을 향상시킬 수 있습니다.
Q. 전력망에서 전자기 펄스 방어 기술에 대해서 궁금합니다.
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어 입니다.전력망에서 전자기 펄스를 방어하기 위해서는 EMP 필터와 서지 보호기를 사용하여 장비를 보호하는 것이 중요합니다. 차폐 기술을 통해 전력망 설비를 금속 인클로저로 감싸서 EMP의 영향을 최소화할 수 있습니다. 또한, 설비 간격을 늘려 신호 간섭을 줄이고, 중복 시스템을 구축해 한 시스템이 EMP의 영향을 받더라도 백업 시스템이 작동하도록 설계하는 것도 필요합니다. 전자기 펄스의 영향은 전력망의 안정성에 직접적으로 영향을 미치므로, 이러한 기술들을 적절히 적용하는 것이 필수적입니다.