Q. 전자 회로도를 읽는 방법이 어떻게되나요?
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어 입니다.회로도를 읽기 위해 중요한 것은 각 부품의 기호와 선의 연결 방식을 이해하는 것입니다. 먼저 회로도를 보면 다양한 전자 부품 기호가 나옵니다. 예를 들면 저항은 지그재그 선, 커패시터는 두 개의 평행선, 다이오드는 삼각형과 선의 조합으로 나타납니다. 각 기호는 부품의 기능을 나타내므로 정확히 이해해야 합니다. 선으로 연결된 부분은 전류가 흐르는 길을 의미하며, 선이 교차할 때 점이 찍혀 있으면 전기적으로 연결된 것이고, 점이 없으면 연결되지 않은 것입니다. 전체 회로를 볼 때 입력에서 출력까지 전류의 흐름을 따라가면서 각 부품이 어떤 역할을 하는지 연관 지어 이해하는 것이 중요합니다. 이렇게 하면 회로의 작동 방식과 설계 의도를 파악하는 데 도움이 될 것입니다.
Q. 동기조상기와 정지형 무효 전력 보상 장치(SVC)의 차이점은 무엇인가요?
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어 입니다.동기조상기와 정지형 무효 전력 보상 장치(SVC)는 모두 무효 전력 보상을 통해 전력계통의 전압을 안정화하는 데 사용됩니다. 동기조상기는 동기 전동기를 사용하여 기계적인 방식으로 무효 전력을 보상합니다. 이는 회전하는 부품이 존재하므로 유지보수 비용이 높을 수 있습니다. 반면, SVC는 전력전자 소자를 이용하여 여기에 필요한 무효 전력을 보상하는 정지형 장치입니다. 빠른 응답성과 낮은 유지보수 비용이 장점입니다. 따라서, 동기조상기는 높은 관성으로 인해 과거 설치된 설비에 유리하며, SVC는 최신 전력계통과 더 잘 어울릴 수 있습니다.
Q. MOSFET의 작동원리와, 채널 길이의 감소가 전기적 특성에 미치는 영향에 대해 여쭤봅니다.
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어 입니다.MOSFET는 게이트 전압을 통해 소스와 드레인 간의 전류 흐름을 제어하는 반도체 소자입니다. 게이트에 전압이 인가되면, 게이트 산화막 아래의 채널이 형성되어 전류가 흐르게 됩니다. 채널 길이가 감소하면 전자 이동 속도가 빨라져 반응 속도가 향상되지만, 채널 길이가 짧을수록 누설 전류와 전자 이동 억제가 심해질 수 있습니다. 이로 인해 드레인 유도 장벽 감소 효과가 나타나고, 소자의 스위칭 속도는 빨라지지만 소비 전력과 발열 문제의 관리가 필요하게 됩니다. 채널 길이 감소는 현대 반도체 기술의 중요한 이슈로, 설계와 재료 혁신을 통한 최적화가 필요합니다.
Q. 전력 증폭기에 적합한 반도체 소자는??
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어입니다.전력 증폭기에 적합한 반도체 소자로는 주로 BJT, MOSFET, IGBT 등이 사용됩니다. BJT는 전류 제어 특성이 뛰어나고, 중고주파수에서 유리합니다. MOSFET은 높은 입력 임피던스와 빠른 스위칭 속도를 자랑하며, 주로 고주파 응용에 적합합니다. IGBT는 BJT와 MOSFET의 장점을 결합해, 높은 전압과 전류를 동시에 처리할 수 있어 고출력 및 고신뢰성이 필요한 응용에 적합합니다. 증폭기의 특성과 사용 환경에 따라 선택이 달라질 수 있습니다.