Q. 양자 컴퓨팅의 현재 기술적 한계와 상용화 가능성이 있을까요 ?
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어입니다.양자 컴퓨팅의 상용화 가능성은 여전히 논의 중입니다. 극저온 환경은 양자 비트의 안정성 유지를 위해 필요하고, 이는 현재 높은 비용을 유발합니다. 양자 오류 정정 기술은 아직 초기 단계며, 완벽하지 않습니다. 또한, 양자 얽힘을 활용한 효율적인 알고리즘 개발이 필요합니다. 상용화는 특정 문제에 강점을 보이나, 그 적용 분야가 제한적입니다. 향후 몇 년 내 상용화 가능성은 아직 불확실하며, 지속적인 연구 개발이 필요합니다. 현재로서는 대규모 상용화보다는 특정 분야에서의 제한적인 응용이 더 가능성이 있습니다.
Q. MOSFET의 구동원리에 대해서...
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어입니다.MOSFET는 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로, 반도체 소자로 전압에 의해 전류를 제어합니다. 구조는 크게 게이트, 드레인, 소스로 구성됩니다. 게이트와 소스 사이에 전압을 인가하면, 전기장이 형성되고 반도체 표면에 전하가 축적됩니다. 이로 인해 드레인과 소스 사이에 전도 채널이 생성되어 전류가 흐르게 되는 원리입니다. 마치 스위치처럼 동작해 전기 신호를 제어할 수 있습니다. N형과 P형 두 가지 타입이 있고, 각각 전자의 이동과 정공의 이동을 이용해 작동합니다. MOSFET는 높은 입력 저항과 빠른 스위칭 속도가 특징으로, 다양한 전자 회로에서 사용됩니다.
Q. HEMT 소자에 대해서 설명부탁드립니다.
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어입니다.HEMT는 High Electron Mobility Transistor의 약자로, 전자 이동도가 높은 특성을 가진 전계효과 트랜지스터입니다. 주로 AlGaAs/GaAs, AlGaN/GaN 등 이종 반도체 구조를 이용해 제작되며, 두 반도체 계면에서 2차원 전자 가스(2DEG)가 형성되어 높은 전자 이동도를 제공합니다. 이는 고주파 및 고전력 응용에 유리하게 작용합니다. HEMT의 구조는 일반적으로 밑단에 GaAs 또는 GaN 기판, 그 위에 AlGaAs 또는 AlGaN 층으로 이루어져 있습니다. 이국적인 구조 덕분에 전자가 매우 빠르게 이동할 수 있어 고속 디지털 회로나 마이크로파, 밀리미터파 주파수 대역에서 효율적으로 작동합니다.