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반도체 공정에서 포토레지스트 감광의 원리는?

반도체 공정 중 포토레지스트 감광의 경우 회롤르 빛으로 그린다고 하는데, 포토레지스트가 빛에 반응해 패턴이 생기는 화학 원리가 무엇인지 궁금합니다.

2개의 답변이 있어요!
  • 안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.

    포토레지스트는 빛을 받으면 내부의 광반응 물질이 분해되거나 활성화되어 고분자 사슬의 결합 상태가 됩니다 이로 인해 노광된 부분이 현상액에 잘 녹아 없어지거나 또는 가교되어 남게 되는 용해도 차이가 생깁니다 즉 빛이 화학 반응을 유도해 녹는 성질의 차이를 만들고 이를 이용해 미세한 회로 패턴을 형성하는 겁니다

  • 안녕하세요. 박재화 박사입니다.

    포토레지스트는 빛을 받으면 분자 구조가 화학적으로 변하도록 설계된 고분자 소재이기 때문에 그렇습니다.

    노광 시 자외선을 받게 되면 내부의 감광제가 반응해서 용해도가 달라지게 됩니다. 그래서 이 차이로 인해서 현상액에 일부는 녹고, 일부는 남아서 패턴이 형성되게 되는 원리입니다.

    빛을 통해 화학반응이 일어나는데, 용해도 차이가 생기는 원리라고 요약할 수 있겠네요.