물질의 현상중에 터널링 현상은 왜 발생하는 건가요?
반도체에서 미세화 공정을 점점 높이게 되면 전자가 터널링 현상으로 전기가 누수된다고 하던데 터널링 현상은 왜 발생하는 것인지 궁금합니다.
안녕하세요. 박준희 전문가입니다.
터널링 현상, 또는 양자 터널링은 양자 역학에서 입자가 에너지 장벽을 넘어가는 현상을 의미하는데요. 이는 입자의 파동성을 기반으로 논리를 증명한 현상입니다.
감사합니다.
안녕하세요. 하성헌 전문가입니다.
터널링 현상이라고 하는 것은 물질의 장벽이 있으며, 이 장벽을 일반적으로 뚫긴 힘들지만, 장벽을 둟고 다른쪽으로 이동할 수 있게 하는 것이라고 볼 수 잇습니다. 다만 이러한 것은 반도체에서 주로 다루어지며, 이러한 터널링 현상이 나타나면 에너지 장벽를 넘을 수 있는 힘보다 작아도 전자의 통과가 가능하다고 볼 수 있습니다. 다만 이러한 터널링이 지속되다보면 전류가 누설되어 흐르며 이는 전력의 소모나 발열이 발생할 수 있습니다.
안녕하세요. 전찬일 전문가입니다.
터널링 현상은 양자혁학적인 성질 때문에 생기는 것 입니다. 아주 작고 가벼운 입자인 전자는 고전적인 물리 법칙대로라면 넘을 수 없는 에너지 장벽이 잇어도, 양자역학에서는 그 장벽을 얇고 낮으면 뚫고 지나갈 확률이 생기는데, 이게 바로 터널링입니다. 쉽게 말하면 전자는 존재 할 수 없는 곳에 아주 잠깐 나타날 수 있는 성질이 있어서, 얇은 장벽이라면 벽을 뚫고 반대편으로 튀어나올 수 있는것인데요. 반도체에서 미세화가 점점 진행되면 절연층도 얇아지기 때문에 전자가 그 얇은 층을 뚫고 지나가는 터널링 현상이 일어나고, 이로 인해 전류가 새는 문제가 생기는 것 입니다안녕하세요. 강세훈 전문가입니다.
터널링 현상은 양자역학적 현상으로 전자가 에너지 장벽을 넘지 않고도 확률적으로 그 벽을 통과하는 현상입니다. 반도체 미세화로 트랜지스터의 크기가 작아지면서 전자가 장벽을 터널링하여 누수 전류가 발생하는 것입니다.
안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.
터널링 현상은 양자역학적 개념으로 전자기 고전적으로 넘을 수 없는 에너지 장벽을 활룍적으로 통과하는 현상입니다 이는 전자가 입자이면서 동시에 파동의 성질을 가지기 때문에 장벽 너머에도 전다 존재 확률이 존재하여 발생하게 됩니다 반도체에서 미세화가 진행되면 절연층이 얇아져 전자기 이 장벽을 쉽게 터널링하게 되어 원하지 않는 전류 누수가 발생하는 문제가 생기는 겁니다
안녕하세요. 박형진 전문가입니다.
반도체 공정에서 터널링 현상은 전자가 에너지 장벽을 넘지 않고 통과하는 양자역학적 현상으로 물리적인 한계로 인해 발생합니다. 트랜지스터의 크기가 아주 작아져 채널 길이가 나노미터 이하로 축소되면 전자가 게이트 절연막을 통과할수 있게 되는데요. 미세화 공정에서 유전막 두께가 엄청나게 줄어들며서 전자가 에너지 장벽을 넘어 이동하는 현상이 생기는데 이것이 터널링 입니다.
참고 부탁드려요~
안녕하세요. 조일현 전문가입니다.
전자는 자신이 가진 에너지 보다 높은 장벽을 통과하게 될 때 보이는 현상으로 아주 작은 확률로 장벽을 통과하여
반대편으로 나오는 것을 말합니다. 이는 반도체에서 절연막이 점점 얇아짐에 따라 이런 현상이 생기게 되는 것입니다.