학문
반도체에서 결정구조의 불완전성이 미치는 영향에 대해
안녕하세요. 반도체 재료에서 결정구조의 불완전성이 전자 이동도에 미치는 영향은 어떻게 설명할 수 있을까요?
전자 이동도가 낮아질거 같긴 한대...
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안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.
반도체 재료의 결정구조에 불완전성이 있으면 전자가 이동하는 경로에 장애물이 생겨 전자 이동도가 낮아집니다. 불완전성은 결함, 불순물, 혹은 결정립 경계로 인해 발생하며 이는 전자의 산란을 증가시켜 전자 흐름을 방해합니다. 따라서 결정구조가 완벽할수록 전자 이동도가 높아지고 반대로 불완전성이 많을수록 이동도가 감소합니다.
안녕하세요. 신란희 전문가입니다.
결정구조의 불완전성은 결정 내 결함이나 불순물을 통해 전자 이동도를 저하시킬 수 있습니다.
이런 불완전성은 전자가 이동하는 경로를 방해하고 전자와 결함간의 상호작용을 증가시켜 전자 흐름을 방해합니다.
전도성 재료에서 전자의 이동 경로가 불규칙해져 전자 이동도가 감소하게 됩니다.
안녕하세요. 박재화 박사입니다.
반도체에서 결정구조의 불완전성은 결함, 불순물 혹은 결정을 왜곡시켜 전자 이동도를 감소시키게 됩니다. 이러한 불완전성은 전자가 결함에 의해 산란되도록 만들어 전자 흐름을 방해하고, 결국 반도체의 전기적 특성을 저하시키게 됩니다.
안녕하세요.
반도체에서 결정구조의 불완전성은 전자 이동도에 부정적인 영향을 미칩니다. 결함이나 불순물 등이 존재하면 전자는 이를 만나 산란되며, 이로 인해 이동도가 감소하고 전도성이 떨어지는 문제가 있습니다.
감사합니다.