화학 용어 중에 에피택시가 무슨 뜻인가요?
단결정 멤브레인의 반복적 생산 및 이를 통한 반도체소자 공정 비용 절감 효과를 기대한다는 뉴스 중에
"세종대학교(총장 배덕효) 홍석륜 교수가 미국 매사추세츠 공대(MIT) 김지환 교수, 김현석 박사 등과 공동으로 첨단 리모트 에피택시 기술을 시연하고 규명함으로써 헤테로-인티그레이션 및 멤브레인 기반 응용 분야에 대한 엄청난 혁신을 가져왔다." 내용에
에피택시가 무엇인지 궁금합니다.
에피택시(Epitaxy)는 반도체 제조 및 재료 과학 분야에서 중요한 개념입니다. 에피택시는 기존의 고체 기체 혹은 고체 고체 경계면에 새로운 결정 구조의 물질을 원하는 방향으로 성장시키는 과정을 가리킵니다. 이것은 일반적으로 일정한 온도와 화학 환경에서 진행되며, 원하는 물질이 다른 기체나 고체와 상호 작용하면서 생기는 층을 형성하는 과정입니다.
반도체 산업에서 에피택시는 다양한 반도체 소자, 특히 편성 층과 다층 구조를 형성하는 데 사용됩니다. 에피택시 공정은 다음과 같은 몇 가지 주요 응용 분야에서 중요한 역할을 합니다:
편성 층 (Epitaxial Layers): 반도체 소자에서 새로운 물질 층을 특정 두께로 성장시켜 특정 전기적 또는 광학적 특성을 부여합니다.
다층 구조 (Heterostructures): 에피택시를 사용하여 서로 다른 반도체 물질을 층층이 쌓아 다층 구조를 만들어 다양한 소자 및 장치를 제조합니다. 이것은 다양한 전자 소자 및 레이저 다이오드 등의 제조에 사용됩니다.
멤브레인 분리 (Smart-Cut): 에피택시를 통해 기존 반도체 기판으로부터 얇은 실리콘 막을 분리하는 기술로, 소자의 제조 및 기판 재활용에 사용됩니다.
에피택시 공정은 반도체 제조의 핵심 부분 중 하나이며, 다양한 혁신적인 기술 및 제품을 개발하는 데 중요한 역할을 합니다.
안녕하세요. 송종민 과학전문가입니다.
한 개의 결정이 다른 결정의 표면상에 정해진 방위 관계를 이루며 성장할 때 그 상태를 에피택시라고 한다. 전기도금에서 소지금속의 결정구조는 석출금속에 여러 가지 형태의 영향을 미친다. 만약 소지금속의 격자 면에서 격자 간 거리가 도금 금속의 격자 간 거리와 잘 일치하고 있다면 소지의 결정구조가 도금 금속에 계승되어 금속의 석출이 일어난다. 이것이 에피택시의 성장이다. 에피택시 성장을 나타내는가 그렇지 않은 가는 도금조건에 따라 변하며, 에피택시를 나타내지 않는 경우도 많다. 그런 경우에도 소지와 도금층의 결합은 금속 결합으로 되어 있다.
안녕하세요. 김찬우 과학전문가입니다.
반도체에서 사용되는 용어입니다.
에피(Epi)란 윗 방향으로 더해진다는 뜻으로, 에피택셜(Epitaxial)이란 윗 축의 방향으로 만들어지는 몸체(Layer)를 의미합니다. 에피택셜 그로스(Epitaxial Growth)는 에피택시(Epitaxy) 혹은 별칭으로 에피라고도 부르는데, 이는 Seed 웨이퍼를 밑에 깔고 격자 방향을 유지하면서 단결정(한 종류로 된 결정 전체가 일정한 결정축을 따라 규칙적으로 생성된 고체)으로 성장해 추가로 새로운 층을 쌓아 올린다는 의미입니다.
그럼 도움이 되셨다면 추천과 좋아요 부탁드리겠습니다:)
안녕하세요. 김재훈 과학전문가입니다.
에피택시(Epitaxy)는 그리스어로 "위에"라는 뜻의 "epi"와 "배열"이라는 뜻의 "taxy"가 합쳐진 단어로, 결정 기판 위에 방향성을 가진 결정막이 자라는 현상을 말합니다. 소자의 응용을 위한 결정성장방법 중 하나는 호환성이 있는 결정으로 이루어진 웨이퍼상에 얇은 결정을 성장시키는 것입니다. 에피택시는 반도체 소자의 제조에 필수적인 공정입니다. 반도체 소자는 웨이퍼 위에 다양한 종류의 박막이 쌓여서 만들어지는데, 이때 에피택시 공정을 이용하면 원하는 종류의 박막을 원하는 위치에 균일하게 성장시킬 수 있습니다.
안녕하세요. 박정철 과학전문가입니다.
에피택시(epitaxy)는 고체 물질의 성장 과정에서 한 층의 원자나 분자가 다른 기체나 고체 표면 위에 정렬되어 성장하는 현상을 말합니다. 이는 결정 구조와 원자 배열의 일관성을 유지하며 층이 형성되는 것을 의미합니다. 에피택시는 주로 반도체 제조 및 나노기술 분야에서 중요한 역할을 합니다. 반도체 소자를 만들 때, 에피택시 공정은 다양한 재료를 정확하게 적층하여 결정 구조를 제어하고, 우수한 전기적 특성과 기계적 안정성을 갖춘 박막(Thin film)을 형성하는 데 사용됩니다. 에피택시 공정은 주로 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)이나 분자 광물질증착(MBE, Molecular Beam Epitaxy)과 같은 기법으로 수행됩니다. 이러한 방법들은 적절한 조건에서 원자나 분자가 표면으로부터 수송되어 그 위에 정렬된 층을 형성하게 됩니다. 에피택시는 반도체 소자의 성능 개선이나 다양한 나노구조물의 제작 등 다양한 응용 분야에서 중요하게 사용되며, 미세 전자공학, 광전자공학, 재료과학 등과 관련된 연구와 기술 개발이 진행되고 있습니다.
