삼성전자, 하이닉스 각각의 HBM 메모리 방식이 궁금하네요
요즘 엔비디아 HBM 메모리관련해서 관련 주식이 상당히 많이 오르고 있는데요 삼성과 하이닉스 HBM 메모리 제조 방식이 각각 다르다고 들었네요 각각 어떤 방식인디 쉽게 설명 부탁드려요
안녕하세요.
삼성전자의 HBM 방식은 TC NCF(열압착 비전도성 접착필름, Thermal Compression Non Conductive Film)이라는 D램 사이에 비전도성필름을 넣은 뒤 열로 압착하는 방식입니다.
하지만 하이닉스는 MR-MUF(매스리플로몰디드언더필, Mass Reflow-Molded UnderFill) 라는 기술로 D램을 쌓아 붙인 뒤 열을 가해 1차 납땜을 한 후 D램 사이에 끈적한 액체를 흘려넣어 단단하게 굳히는 방식이죠.
감사합니다.
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어 입니다.
삼성전자와 SK 하이닉스는 HBM(High Bandwidth Memory) 메모리를 제조하는 방식에서 차이점을 보이지만, 기본적으로 TSV(Through-Silicon Via) 기술을 사용하여 DRAM 칩을 수직으로 쌓아 올리는 구조를 채택합니다. 삼성전자는 기존 기술의 안정성을 더한 '와이드 I/O' 기술에 기반을 두고 있으며, HBM3와 같은 차세대 제품을 통해 전력 효율과 성능을 강화하여 고성능 컴퓨팅과 AI에 중점을 둡니다. SK 하이닉스는 초박형 패키징 기술과 코어 회로 간의 연결 최적화에 집중하여 데이터 처리 속도를 높이는 방식입니다. 두 회사 모두 고속 인터페이스 설계와 고용량 전송을 목표로 하고 있으며, 이를 통해 실시간 데이터 처리와 분석에 유리한 솔루션을 제공합니다. 주식 시장에서도 이러한 기술 발전이 긍정적인 평가를 받고 있는 만큼, 관련 동향에 관심을 가지는 것이 좋습니다.
안녕하세요. 전기전자 분야 전문가입니다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 고대역폭 메모리로, 초고속 데이터 전송을 위해 설계되었습니다. 삼성전자는 TSV(Through-Silicon Via) 기술을 사용하여 다층 칩을 수직으로 연결해 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소모를 줄입니다. SK하이닉스 또한 TSV 기술을 기반으로 하지만, 전력 관리와 데이터 전송 최적화에 차별화된 기술을 적용해 고성능과 안정성을 강조합니다. 두 회사 모두 비슷한 기술 기반을 사용하지만 각각의 제조 노하우와 최적화 전략에 따라 HBM 메모리를 차별화하고 있습니다. 좋은 하루 보내시고 저의 답변이 도움이 되셨길 바랍니다 :)
안녕하세요
삼성전자와 하이닉스의 메모리 제조 방식은 다음과 같습니다
삼성전자는 TC-NCF (열압착 비전도성 접착 필름) 방식을 사용합니다. 이는 칩 사이에 필름을 끼워 열압착하는 방식으로 제작 공정이 비교적 간단하고 안정적이라는 장점이 있습니다. 하지만 열 방출 측면에서 다소 취약하다는 단점도 존재합니다 반면에 하이닉스는 MR-MUF (대량 리플로 성형 언더필) 방식을 사용합니다. 이는 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 채운 후 전체를 한 번에 굳히는 방식으로 뛰어난 열 방출 성능과 높은 안정성을 제공합니다 하지만 제작 공정이 다소 복잡하고 기술적인 어려움이 따르기도 합니다.