안녕하세요. 장철연 전문가입니다.
만들어진 트랜지스터들을 전기적으로 연결해서 실제 메모리 칩으로 완성하는 공정 이라고 볼 수 있습니다. 삼성 관련 보도에서도 엔드팹을 메탈 배선과 마무리 등 전공정 후반 공정을 처리하는 시설이라고 뉴스를 내보냈습니다.
왜 H1을 엔드팹으로 쓰느냐면 최신 메인팹은 EUV 장비 같은 대형 장비가 들어가야 해서 층고와 진동 조건이 매우 까다롭습니다. 그런데 엔드팹은 상대적으로 장비 규모가 작고 환경 요구사항도 덜 까다로워서 오래된 화성 H1 클린룸을 재활용할 수 있습니다.
삼성 입장에서는 신규 팹 건설 없이 엔드팹만 증설해 D램 병목을 해소하고 생산성을 높일 수 있는 셈입니다. 실제 기사에서도 현재 일부 D램 웨이퍼는 화성 메인팹에서 회로 형성 후 천안 엔드팹으로 이동해 금속 배선을 형성하고 있는데 이를 화성 H1으로 모아 물류와 대기 시간을 줄이려는 목적이라고 설명합니다
한마디로 정리하면 메인팹은 D램의 뼈대와 세포를 만드는 공장? 이고 엔드팹은 그 세포들을 금속 배선으로 연결해 실제 동작하는 D램으로 완성하는 공장? 이라고 보시면 됩니다