최근 차세대 공정에서 도입된 4면을 모두 감싸는 구조의 경우 물리적으로 게이트가 채널 전체를 통제함으로써 얻는 정전기적 이점 FinFET 대비 정확히 어느정도 수준인지 궁금합니다.

단채널 효과 제어 관점에서 FinFET이 가진 구조적인 한계점은 정확히 무엇인지 궁금하고 소자 신뢰성 측면에서 어떤 득실이 있는지 궁금합니다.

1개의 답변이 있어요!

  • 안녕하세요. 최정훈 전기기사입니다.

    최근에 도입된 GAA 구조는 3면을 감싸던 FinFET에 비해서 채널 통제력이 향상되었습니다. 그래서 오프 상태의 누설 전류를 거의 완벽하게 차단해주죠. FinFET은 미세화될수록 게이트가 닿지 않는 하부 채널에서 전류가 새는 단채널효과의 구조적인 한계가 있습니다. 하지만, GAA는 정전기적 제어가 완벽해져서 전력효율과 득실이 있어요. 결국에는 칩면적을 줄이면서도 전압효율을 확대할수 있어서 차세대 반도체의 핵심기술이라고 생각해주셔도 될것 같습니다.

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