반도체 미세공정에서 GAA 구조가 기존 FinFET 구조의 물리적 한계를 극복한 원리는 무엇인가요?

Question

최근 삼성전자와 TSMC등 글로벌 반도체 파운드리 기업들의 3나노 이하 초미세 공정에서 GAA 구조를 도입한 이유는 무엇인가요? GAA구조가 게이트의 4면을 모두 채널과 맞닿게 함으로써 누설 전류를 어떻게 획기적으로 차단하나요?

Answer 1

안녕하세요. 최정훈 전기기사입니다.

반도체 선폭이 3나노 이하로 줄어들면서 기존 FinFET 구조는

전류를 통제하기 힘들어졌지만 GAA 구조는 게이트가 채널의 4면을 완전히 감쌉니다. 그래서 새어 나가는 누설 전류를 획기적으로 차단해 주죠. 그래서 삼성전자랑 TSMC 같은 파운드리 대기업들이 전력 효율을 극대화하기 위해 이 기술을 도입한 겁니다. 채널 전송 효율을 대폭 높여주니까, 미세공정의 한계를 극복할 수 있었고 전력 소모도 줄일 수 있어서 획기적입니다.