반도체 공정이 2nm 수준으로 미세해지면 게이트가 채널을 제대로 통제하지 못하는경우가 생깁니다. 그러면 전자가 멋대로 흐르는 터널링 현상이 생기게되고 또, 누설 전류가 골칫거리가 됩니다. 그래서 해결책으로 GAA 구조가 생겼죠. 이구조는 채널의 3면만 감싸던 기존 FinFET과 다르게 나왔습니다. 그리고 4면 전체를 게이트가 감싸게 됩니다. 그렇기 때문에 전류 흐름을 정밀하게 제어할 수있는거죠. 결론적으로 전력효율이 높아졌숩니다. 또 성능도 전 세대 대비해서 상승하게 되구요. 마지막으로, 설계입장에서는 소모전력을 줄이면서 동작속도를 높일 수 있는 변화라고 할수 있습니다.