Wafer 소재를 가공할 때 필요한 기술
반도체 산업에서 없어서는 안될 필 수 적인 부품으로는 wafer가 있습니다. 이 wafer를 제조함에 있어서 가공기술이 상당히 중요한데, 이 때 활용 될 수 있는 기술에 대해서 설명해주세요.
안녕하세요.
Wafer 가공에는 주로 광학적 노광, 화학적 에칭, 그리고 이온 주입 기술이 사용됩니다. 노광 기술은 패터닝을 통해 회로를 형성하고, 에칭 기술은 불필요한 부분을 제거하여 고해상도를 달성합니다. 또한, 이온 주입은 도핑을 통해 전기적 특성을 세밀하게 조정하여 반도체 성능을 극대화합니다.
안녕하세요.
반도체 웨이퍼 가공에는 주로 밀링, 연마, CMP와 같은 정밀 가공 기술이 적용됩니다. 밀링은 웨이퍼의 크기를 맞추는 데 사용되며, 연마는 표면을 매끄럽게 처리하여 결함을 최소화합니다. CMP는 표면 평탄도를 높이고, 고속 회전하는 연마 패드를 통해 미세한 두께 조정이 이루어져 전자 소자의 성능 향상에 기여합니다.
감사합니다.
안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.
웨이퍼 제조에서 중요한 가공 기술로는 CZ법이나 FZ법과 같은 단결정 성장 기술을 활용하여 고순도의 실리콘 결정 구조를 형성하는 것이 핵심입니다. 이후 웨이퍼 절단 공정에서 다이아몬드 와이어를 사용하여 얇고 균일한 두께로 절단하며 연마와 CMP를 통해 표면 거칠기를 최소화하고 평탄도를 확보합니다. 마지막으로 불순물 제거와 산화 공정을 거쳐 반도체 회로를 형성할 수 있는 고품질의 실리콘 웨이퍼가 완성됩니다.
안녕하세요. 신란희 전문가입니다.
웨이퍼 제조는 고순도 실리콘을 단결정으로 성장시키는 과정에서 시작됩니다. 이후 정밀 절단과 연마를 통해 원하는
두께와 평탄도를 확보하며, 불순물 제거와 표면 처리를 거쳐 반도체 공정에 적합한 상태로 만듭니다.
최종적으로 열처리와 이온 주입을 통해 전기적 특성을 균일하게 조정합니다.
안녕하세요. 이주형 박사입니다.
웨이퍼 제조에서는 CZ 또는 FZ 성장법으로 고순도 단결정을 형성하고, 절단과 연삭으로 원하는 두께로 가공합니다.
이후 CMP 공정을 통해 표면 거칠기를 낮추고, 플라즈마 에칭이나 이온 주입으로 미세 구조를 정밀하게 조정합니다.
마지막으로 세정과 열처리를 거쳐 불순물을 제거하고 균일한 전기적 특성을 확보할 수 있습니다.