트랜지스터의 게이트 절연막은 전공정에서 어떻게 형성되나요?

Question

반도체는 트랜지스터가 많이 들어가는게 중요한데요 그렇다면 이 트랜지스터의 게이트 절연막은 전공정에서 어떻게 형성이 되는지 궁금합니다

Answer 1

안녕하세요. 하성헌 전문가입니다.

트랜지스터의 단자는 콜렉터, 베이스, 이미터 등으로 구성이 되어 있으며, 트랜지스터의 경우 전류 증폭을 위한 수단으로 활요이 되기도 합니다. 따라서 ic = 베타*ib 등의 형태로 나타내기도 합니다. 이러한 상황에서의 트랜지스터의 게이트 절연막의 형성의 겨우 웨이퍼에 박막을 위한 절연막을 만드는 것부터 시작을 하며 절연막이 만들어 졌다면 기존에 삽입을 하는 반도체 부품을 연결을 통해서 보다 정밀하게 웨이퍼를 만드는 과정을 거친다고 볼 수있습니다.

Answer 2

안녕하세요. 박준희 전문가입니다.

트랜지스터의 게이트 절연막은 주로 산화 공정과 증착 공정을 통해 형성된다고 합니다. 반도체 기판 위에 실리콘 산화막을 형성한 뒤, 증착 공정을 통해 게이트 절연막 물질을 얇게 입히고, 필요에 따라 플라즈마 처리나 열처리 등을 거쳐 절연 특성을 향상시키는 원리를 갖죠.

감사합니다.

Answer 3

안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.

트랜지스터의 게이트 절연막은 전공정의 산화 공정을 통해 실리콘 표면에 얇은 산화막을 형성하거나 최근에는 원자층 증착 방식으로 고유전율 물질을 증착하여 만듭니다 이 절연막은 게이트 전극과 채널 사이에서 전류 누설을 막고 전기장을 효율적으로 전달하는 핵심 역할을 합니다 미세화가 진행될수록 산화막 두께를 원자 단위로 정밀하게 제어해야 하므로 재료 공정 기술의 한계가 큰 과제로 떠오르고 있습니다

Answer 4

안녕하세요. 조일현 전문가입니다.

반도체 기판 표면에 산화막을 열산화로 형성하고 그 위에 게이트 전극 물질을 증착합니다.

일반적으로 게이트 산화막 형성은 고온에서 산소 또는 수증기에서 열산화 방법을 통해 이루어 집니다.

또한 포토리소그래피로 패턴을 형성 하며 식각하여 게이트 구조를 완성 시킵니다.

이 과정은 트랜지스트 게이트 절연막 형성의 핵심으로 볼 수 있겠습니다.