삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 8세대 제품 HBM5에 2나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용하겠다고 밝혔는데 HBM5는 이전의 HBM4E와 어떤 차이가 있는건지요?

Question

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 8세대 제품 HBM5에 2나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용하겠다고 밝혔는데 HBM5는 이전의 HBM4E와 어떤 차이가 있는건지요?

그리고 HBM애 대한 간략한 쉬운 설명 부탁드립니다

Answer 1

안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.

HBM은 여러개의 D랩을 수직으로 쌓아 초고속으로 데이터를 주고받도록 만든 메모리로 AI GPU와 같은 고성능 반도체에 필수적으로 사용됩니다 HBM5는 HBM4E보다 더 높은 데이터 전송 속도와 메모리 용량 전력 효율을 목표로 개발되는 차세대 규격이며 삼성전자는 여기에 2나노 공정을 적용해 제어 회로의 성능과 전력 효율을 더욱 높이려 하고 있습니다 즉 HBM5는 AI 연산에 필요한 데이터를 더 빠르고 적은 전력으로 처리할 수 있도록 발전한 차세대 HBM 메모리라고 이해하면 됩니다

Answer 2

안녕하세요. 강세훈 전문가입니다.

HBM5는 HBM4E보다 한 세대 진화한 제품입니다.

HBM4E가 4나노 베이스 다이를 쓰는 반면, HBM5는 2나노 GAA 공정을 적용해서 동작 속도가 50% 이상 빨라지고 전력 효율과 발열 관리가 좋아진답니다.

Answer 3

안녕하세요. 최정훈 전문가입니다.

HBM은 D램을 여러 개 위로 쌓아서 데이터가 오가는 통로를 넓힌 초고속 메모리이죠. 쉽게 말해서 일반 도로를 넓은 고속도로로 만들어서 인공지능 같은 대용량 처리를 돕는 구조입니다. 삼성전자가 HBM5에 2나노 공정을 도입하겠다고 밝힌 것은 뇌 역할을 하는 하단 베이스 사이에 최첨단의 파운드리 공정을 적용하겠다는 의미이죠. 기존에 HBM4E는 4나노 공정을 기반으로 만들어졌지만 HBM5는 2나노를 쓰면서 동작 속도가 크게 빨라집니다. 그 덕분에 칩의 집적도가 올라가게 됩니다. 전력 효율도 좋아지고 발열을 잡는 능력도 확실히 월등해지죠. 결국에는 더 작고 미세하게 깎아서 만들어서, 속도랑 에너지를 끌어올린 차세대 기술이라고 이해해 주셔도 좋을 것 같습니다.

Answer 4

안녕하세요. 귀중한나팔새144님 장철연 전문가입니다.

HBM은 그래픽카드나 AI 반도체 옆에 붙는 초고속 메모리입니다.

일반 DDR 메모리가 아파트를 옆으로 길게 늘어놓은 구조라면 HBM은 아파트를 위로 높게 쌓은 구조입니다. 그래서 같은 면적에 훨씬 많은 데이터를 저장하고 매우 넓은 데이터 통로를 통해 GPU에 공급할 수 있습니다

엔비디아의 AI 가속기나 최신 AI 서버에 HBM이 필수인 이유도 AI 연산 자체보다 데이터를 공급하는 속도가 더 중요해졌기 때문입니다

HBM4E는 HBM4의 성능 개선판 정도로 볼 수 있습니다

삼성은 HBM4와 HBM4E의 베이스 다이에 4나노 공정을 사용하고 있으며 HBM4E는 14Gbps 이상의 속도를 구현한 것으로 알려져 있습니다.

반면 차세대인 HBM5는 베이스 다이에 삼성의 2나노 GAA 공정을 적용하고 TSV 집적도도 더 높여 성능과 전력 효율을 크게 개선할 계획입니다. 삼성은 HBM5의 목표 성능을 HBM4E 대비 50% 이상 빠른 동작 속도로 제시했습니다

비교하자면 HBM4E가 최신 모델 자동차라면 HBM5는 엔진과 변속기까지 완전히 새로 바꾼 차세대 모델에 가깝습니다

오늘도 좋은하루 되세요