안녕하세요. 최성표 변호사입니다.
HBM은 기존의 GDDR 계열 SGRAM을 대체하고 보다 대역폭의 메모리 성능을 달성하기 위해 제안되었으며, 2013년에 반도체 표준협회인 JEDEC에 의해 채택되었고 메모리 다이를 적층하여 실리콘을 관통하는 통로(TSV)를 통해 주 프로세서와 통신을 한다는 것으로, 이를 위해서 직접 인쇄 회로 기판 위에 올려지는 GDDR 계열 SGRAM과는 달리 인터포저라는 중간 단계를 필요로 합니다. 이는 짧은 메모리 레이턴시와 높은 메모리 대역폭을 가지고 있고 침 면적이 작고 컨트롤러 면적도 작으며 전력 소모도 낮은 편입니다.
관련 기업은 삼성전자, 하이닉스 등이 있습니다. 감사합니다.