반도체 DRAM중 HBM3, HMB3E, HBM4, HBM4E,HBM5등 다양한데 장확하게 이게 어떤 차이가 있는지 궁금합니다. 숫자 높을수록 고도의 기술이 필요한거 같은데

Question

반도체 DRAM중 HBM3, HMB3E, HBM4, HBM4E,HBM5등 다양한데 장확하게 이게 어떤 차이가 있는지 궁금합니다. 숫자 높을수록 고도의 기술이 필요한

걸로 알고 있습니다.

그리고 각 제품별로 가장빨리 개발 및 양산한 기업을 알고 싶습니다.

Answer 1

안녕하세요. 김민준 경제전문가입니다.

HBM 뒤 숫자는 세대, E는 개선판(Extended)을 뜻하며, 세대가 올라갈수록 대역폭, 용량, 전력효율이 향상되는 고난도 기술입니다. HBM3E는 24년3월 SK하이닉스가 세계 최초로 12단 양산을 시작했고, HBM4는 삼성전자가 26년2월 세계 최초로 양산 출하하며 HBM3E 대비 대역폭이 2.7배 늘어났습니다. HBM4E는 삼성전가가 샘플을 선제적으로 공급했고, SK하이닉스와 마이크론은 27년에야 양산 진입이 예상되는 상황이며, 아직 상용화 전인 HBM5는 차세대 규격으로 개발 경쟁이 진행 중입니다. 즉 HBM3E까지는 SK하이닉스가, HBM4부터는 삼성전자가 선두를 차지하며 판도가 바뀐 흐름입니다.