안녕하세요. 이충흔 전문가입니다.
P형 반도체는 기본적으로 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge) 같은 14족 원소에 13족 원소를 소량 첨가하여 만들어집니다. 이 과정을 도핑이라고 하는데, 대표적으로 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 같은 원소가 사용됩니다.
실리콘은 원래 네 개의 최외각 전자를 가지고 있어 네 방향으로 안정된 공유결합을 형성합니다. 그러나 13족 원소는 최외각 전자가 세 개뿐이므로 실리콘 격자에 들어가면 결합에 필요한 전자가 하나 부족하게 됩니다. 이 부족한 자리가 바로 정공입니다. 정공은 실제 입자가 아니라 전자가 없는 빈 자리이지만, 인접한 전자가 이 빈자리를 채우기 위해 이동하면 정공이 반대 방향으로 움직이는 것처럼 보입니다. 따라서 P형 반도체에서는 전류가 전자의 흐름이 아니라 정공의 이동으로 전달됩니다.
도핑된 13족 원소는 억셉터 준위를 형성하여 전자가 쉽게 빠져나가 정공을 만들 수 있게 합니다. 이로 인해 P형 반도체는 순수한 실리콘보다 전도성이 크게 향상됩니다.
결국 P형 반도체의 특징은 정공이 다수 캐리어로 작용한다는 점이며, 전류는 정공의 이동 방향과 동일하게 흐릅니다. 이러한 성질 덕분에 P형 반도체는 N형 반도체와 결합해 PN 접합을 이루고, 다이오드, 트랜지스터, 태양전지 등 다양한 전자 소자의 핵심 구조로 활용됩니다.