데이트시트를 참고하여 고른 MOSFET인데도 불구하고 실제 회로를 구동해 보면 발열이 예상보다 너무 심하게 일어납니다.

Question

게이트 드라이버 회로에서 턴오프 속도를 더 빠르게 하기 위해 다이오드를 역방향으로 병령 연결하는 구조를 고려중인데 이외에도 발열과 스위칭 손실을 근본적으로 줄일 수 있는 회록적인 보완대책이 있다면 자세한 설명 부탁드립니다.

Answer 1

안녕하세요. 최정훈 전기기사입니다.

FET 발열이 심하셔서 속상하실것 같습니다. 일단 제안하신 게이트 드라이버에 다이오드를 추가해서 턴오프 속도를 높이는건 스위칭 손실을 줄이는 좋은 방법일겁니다. 그리고 이 외에도 게이트 저항겂을 최적화 하거나 스너버 회로를 추가해서 서지 전압을 억제해 보시구, 혹시 회로 레이아웃에서 기생성분이 발생하지 않는지 점검하면 좋을 것 같아요. 고생하셔서 만드시는 만큼 좋은 결과가 있으셨으면 좋겠습니다.