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반도체의 기본 원리와 PN 접합 다이오드의 작동 방식을 설명해 주세요.

반도체에 기본 원리가 무엇이며, PN 접합 다이오드의 작동 방식을 설명해 주세요.

옛날에 배웠었는데 기억이 잘 안나네요. 전문가분 답변 부탁 드립니다.

감사합니다.

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8개의 답변이 있어요!
  • 김종덕 전문가
    김종덕 전문가
    베트남 진양전자

    안녕하세요. 김종덕 전문가입니다.

    반도체는 전기 전도성이 금속과 절연체의 중간 정도인 물질입니다. 온도나 불순물 첨가에 따라 전도성이 변합니다.

    PN 접합 다이오드는 순방향 바이어스에서는 전류가 흐르고, 역방향 바이어스에서는 전류가 거의 흐르지 않습니다. 이를 통해 전류를 한 방향으로만 흐르게 합니다.

    두개의 차이가 있습니다.

  • 안녕하세요. 서인엽 전문가입니다.

    반도체의 기본 원리

    반도체는 전도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)으로 만들어집니다. 반도체의 기본 원리는 전자와 정공의 움직임을 통해 전기적 성질을 제어하는 것입니다.

    1. 전도대와 가전자대: 반도체는 전도대와 가전자대라는 두 개의 에너지 대역을 가집니다. 전도대는 전자가 자유롭게 이동할 수 있는 에너지 대역이고, 가전자대는 전자가 일반적으로 존재하는 에너지 대역입니다. 이 두 대역 사이에는 에너지 갭이 존재합니다.

    2. 도핑(Doping): 순수한 반도체는 전도성이 낮기 때문에, 이를 개선하기 위해 불순물 원소를 첨가하여 전도성을 조절합니다. 이 과정을 도핑이라고 하며, 두 가지 주요 타입이 있습니다:

      • N형 도핑: 인(Phosphorus)이나 비소(Arsenic)와 같은 전자가 많아지는 원소를 첨가하여, 전자가 주요 캐리어로 작용하는 반도체를 만듭니다.

      • P형 도핑: 붕소(Boron)와 같은 전자가 부족한 원소를 첨가하여, 정공이 주요 캐리어로 작용하는 반도체를 만듭니다.

  • 안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어입니다.

    반도체는 전도성과 부도체의 중간 특성을 가지며, 온도나 불순물 추가에 따라 전기 전도도가 변화합니다. 실리콘과 같은 반도체 재료가 일반적입니다. PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조입니다. P형은 양공이 다수 캐리어로 존재하고, N형은 전자가 다수 캐리어입니다. 정류 작용은 전압에 따라 다르며 순방향 바이어스일 때 전류가 흐르고, 역방향 바이어스에서는 전류가 거의 흐르지 않습니다. 이러한 특성으로 인해 전기 신호의 정류와 같은 다양한 전자기기 응용에 사용됩니다.

  • 안녕하세요. 전기전자 분야 전문가입니다.

    반도체는 전도체와 절연체 사이의 전기 전도성을 가지며, 주로 실리콘이 사용됩니다. 외부의 에너지에 따라 전도성을 조절할 수 있는 특징이 있습니다. PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 결합된 구조입니다. P형은 양공, N형은 전자를 다수 캐리어로 가집니다. 이 두가 접합되면 전자는 P형으로, 양공은 N형으로 움직이며 '공핍층'이 형성되고 전계가 생깁니다. 이 전계는 전류가 흐르지 못하게 막습니다. 순방향 바이어스를 적용하면 전계가 약해져 전류가 흐르게 되고, 역방향 바이어스를 적용하면 전류가 흐르지 않는 특성을 가집니다.

    좋은 하루 보내시고 저의 답변이 도움이 되셨길 바랍니다 :)

  • 실제 공정에서는 n형 웨이퍼나 p형 웨이퍼에 불순물을 주입하여 pn층을 형성합니다. 이때 중심에 공핍층을 형성하여 전자의 흐름을 제어하게 됩니다.

  • 안녕하세요.

    PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합하여 전류를 조절하는 소자로, 정방향 바이어스에서 전류가 흐르고 역방향에서는 차단되는 방식입니다.

  • 안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.

    반도체는 전기 전도성의 중간 정도를 가지며 도체와 부도체의 특성을 모두 갖춘 물질입니다. 반도체의 기본 원리는 전도대와 가전자대 사이의 에너지 갭이 작아서 외부 에너지를 주면 전자가 이동할 수 있다는 것입니다. PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조로 P형 반도체는 양의 전하를 가진 구멍이 많고 N형 반도체는 자유 전자가 많습니다. 접합 부분에서는 전위 장벽이 형성되어 전압이 걸리면 전자가 P형 반도체로 이동하고 구멍은 N형 반도체로 이동하게 됩니다. 순방향 바이어스에서는 전위 장벽이 낮아져 전류가 흐르고 역방향 바이어스에서는 전위 장벽이 높아져 전류의 흐름이 차단됩니다. 이 원리를 통해 다이오드는 전류의 방향을 제어하고 정류 및 스위칭 작업에 사용됩니다.

  • 안녕하세요. 설효훈 전문가입니다. 반도체는 말그대로 반도체 즉 어떨떄는 전도성을 가지고 어떨때는 절연성을 갖는 물질을 말합니다. 그래서 전류나 전압등을 조절하여서 스위치나 전류, 전압 증폭, 신호처리등을 할수 있습니다.

    그리고 PN접합 다이오드는 전자를 끌어들이는 정공이 있는 P형 반도체와 전자를 밀어내는 성질이 있는 N형반도체를 접합하게 될떄 두 반도체 사이에 전위장벽이 생기고 그 장벽을 넘기 위해서는 일정 부분의 전압이 필요합니다. 그래서 그 전압이상의 전압이 인가되면 N형에 있는 전자가 P형의 정공으로 들어가면서 전류가 흐를수 있게 되는 것입니다.