학문

순수한 규소 웨이퍼 자체는 전기가 거의 통하지 않는 부도체에 가깝지만, 최외곽 전자가 3개인 붕소나 5개인 인을 극미량 섞어주면 전기 전도성이 향상되는 이유는?

순수한 규소 웨이퍼 자체는 전기가 거의 통하지 않는 부도체에 가깝지만, 최외곽 전자가 3개인 붕소나 5개인 인을 극미량 섞어주면 전기 전도성이 수백만 배 향상됩니다. 그 이유를 설명해 주세요.

1개의 답변이 있어요!

  • 안녕하세요. 이충흔 전문가입니다.

    순수한 규소로만 이루어진 웨이퍼, 즉 순수 반도체는 결정이 전기를 거의 통하지 않다가, 불순물을 아주 극미량만 섞어도 전도성이 폭발적으로 증가하는 현상은 도핑이라는 핵심 기술 때문입니다. 이와 관련하여 설명해 드릴게요.

    규소는 원자가 전자가 4개로 순수한 규소 결정 속에서 각 규소 원자는 인접한 4개의 다른 규소 원자들과 최외곽 전자를 1개씩 나누어 가지며 4개의 완벽한 공유 결합을 형성합니다. 전기가 통하려면 자유전자 있어야 하는데, 순수 규소는 모든 전자가 꽁꽁 묶여 있어 상온에서 움직일 수 있는 자유 전자가 거의 없어 부도체에 가깝게 동작합니다.

    하지만, 여기에 원자가 전자가 5개인 15족 원소 인이나 비소를 극미량 도핑하면, 인 원자가 규소 원자의 자리를 꿰차고 들어가면, 5개의 전자 중 4개는 주변 규소 원자 4개와 공유 결합을 맺지만 1개의 전자가 짝을 찾지 못하고 남게 됩니다. 남은 1개의 전자가 쉽게 원자에서 튕겨 나와 자유롭게 움직일 수 있어 전압이 걸렸을 때 전류를 흘려보내는 역할을 합니다. 음의 전하를 띤 전자가 주된 운반자이므로 이를 N형 반도체라고 부릅니다.

    그리고, 원자가 전자가 3개인 13족 원소 붕소나 갈륨을 극미량 도핑하면, 붕소 원자가 규소 자리에 들어가면, 전자가 3개뿐이라 주변 규소 원자 4개와 결합할 때 전자 1개가 모자라는 빈자리가 발생한느데 이를 양공이라고 부릅니다. 이 빈자리는 옆에 있는 전자이동하면서 원래 전자가 있던 자리가 다시 새로운 양공이 되어, 마치 양(+)의 전하를 띤 구멍이 스스로 움직이는 것과 같은 효과가 나타납니다. 양공이 전자를 계속 이동시키면서 전류가 잘 흐르게 되고, 양의 성질을 띠는 양공이 주된 운반자이므로 이를 P형 반도체라고 부릅니다.

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