안녕하세요. 이수민 전문가입니다.
삼성전자와 SK하이닉스는 10나노급 6세대인 1c D램을 양산 중이에요. 회로 선폭이 11~12나노 수준인 공정인데, 두 회사 모두 여기서 HBM4를 만들고 있어요. 삼성은 지난 2월 1c D램 기반 HBM4 양산을 시작했고, SK하이닉스도 올해 말까지 1c 비중을 전체 생산량의 34%까지 끌어올릴 계획이에요.
다음 세대인 1d D램은 개발 단계예요. 10~11나노 수준인데 삼성이 올 9월, SK하이닉스가 12월을 개발 완료 목표로 잡고 있고, 양산은 내년 상반기 장비 도입 이후로 보고 있어요.
CXMT가 발표한 5세대는 10나노급 5세대, 그러니까 1b 공정이에요. 국내 두 회사보다 한 세대 뒤인데, CXMT는 이 공정에서 24Gb LPDDR5를 만들었다는 거고 국내는 같은 1b를 이미 지나 1c로 넘어간 상태예요. 세대 수만 보면 한 칸 차이인데, 수율과 양산 규모, 고객사 인증까지 따지면 실제 격차는 더 커요. 다만 CXMT의 추격 속도가 빠른 편이라 범용 D램 시장에서는 가격 경쟁 압력이 생기고 있어요 :)